IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
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月度歸檔 10月 2023
變頻器IGBT維修時(shí)屏蔽檢測(cè)電路報(bào)警的方法
在變頻器的IGBT模塊損壞時(shí)，為了防止新的IGBT安裝后再次短路燒壞，在裝IGBT前需要對(duì)電源板單獨(dú)供電，以檢測(cè)各驅(qū)動(dòng)光耦發(fā)出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是否正常。這時(shí)往往需要先屏蔽溫度檢測(cè)報(bào)警和母線(xiàn)電壓過(guò)低報(bào)警故障（用310V直流電壓給AC380V供電的變頻器母線(xiàn)供電），才能讓CPU輸出PWM驅(qū)動(dòng)波形。
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